2026年9月7日，「破界·啟新——碳化硅前沿技術分享暨碳化硅超結MOSFET成果發布會」落下帷幕。會上，瑤芯微（上海）電子科技有限公司（以下簡稱「瑤芯微電子」）正式發布全球首款碳化硅超結MOSFET產品。該成果由瑤芯微電子與中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍團隊聯合攻關，並攜手芯聯集成電路製造股份有限公司完成工藝平台開發，實現了碳化硅超結技術從實驗室研究向產業化應用的重要跨越。

碳化矽前沿技術分享暨碳化矽超級結MOSFET成果發佈會現場

    業內認為，此次發布標誌着中國企業在下一代碳化硅功率器件技術競爭中實現從「跟隨對標」向「原創突破」的轉變，為新能源汽車、AI數據中心、高效能源轉換等戰略產業提供新的技術支撐。

碳化矽超級結MOSFET產品

    瞄準百億美元市場，碳化硅成為戰略產業關鍵器件

    功率器件是電能轉換、控制和調節的核心部件，廣泛應用於新能源汽車、數據中心、光伏儲能、特高壓輸電等領域。相比傳統硅基器件，碳化硅功率器件具備高耐壓、低損耗、耐高溫、高頻等優勢，被視為第三代半導體的重要發展方向。

    隨着新能源產業和人工智能基礎設施快速發展，全球碳化硅功率器件市場持續擴大。根據市場調研機構Yole集團數據，2025年全球碳化硅功率器件市場規模約37億美元，預計2030年將突破100億美元。當前，該領域仍由海外企業占據較大市場份額，中國作為新能源汽車、高端製造和新能源應用大國，對自主可控的高性能功率器件需求日益迫切。

    在現有碳化硅器件路線中，超結MOSFET技術被認為是提升功率密度和轉換效率的重要方向。但由於電荷平衡控制、結構設計和製造工藝難度極高，長期以來該技術主要停留在實驗室研究階段，尚未形成具有產業化價值的產品。

    五年聯合攻關，實現從實驗室到產業化突破

    據介紹，瑤芯微電子與郝躍院士團隊自2021年啟動碳化硅超結技術聯合攻關，並聯合晶圓代工企業芯聯集成開展工藝平台開發。經過五年持續研發，團隊在理論模型、器件設計、工程製造、工藝調試和產品驗證等多個環節取得突破，最終實現碳化硅超結MOSFET產品化落地。

    「碳化硅超結技術雖然已被廣泛研究，但仍存在大量技術瓶頸。」瑤芯微電子創始人、董事長郭亮良表示，團隊經歷了從理論探索到工程實現的多輪挑戰，通過產學研深度融合，最終解決了關鍵技術問題，實現產業化突破。

    在攻關過程中，團隊面臨「算不准、找不到、做不出」三大難題：理論模型與實際工藝難匹配，複雜結構導致電場分布難以協同，製造過程中的工藝波動也增加了產品實現難度。通過科研團隊與產業團隊協同創新，這些瓶頸逐步被突破，實現了從「實驗室概念」到「工程化產品」的轉化。

瑤芯微電子聯合創始人、CTO陳開宇進行產品介紹

    性能實現突破，探索下一代功率器件技術路線

    據了解，瑤芯微電子此次發布的1200V碳化硅超結MOSFET產品，在性能指標方面實現突破。

    該器件實現1635V超高耐壓，在室溫和175℃高溫環境下，比導通電阻分別達到1.27毫歐·平方厘米和1.5毫歐·平方厘米；器件綜合性能指標BFOM達到2.1吉瓦每平方厘米，有效兼顧低損耗與高頻開關能力。

    郝躍院士表示，瑤芯微電子推出的1200V碳化硅超結MOSFET，是全球範圍內率先完成產品化驗證的碳化硅超結器件之一。該產品涉及多層外延控制、高能離子注入、窄元胞結構設計以及電荷平衡優化等多項關鍵技術，需要實現設計與製造工藝高度協同。

    業內人士指出，超結技術的突破不僅意味着單一器件性能提升，更有望推動新能源汽車主驅系統、車載電源、AI服務器電源以及未來高壓能源裝備等領域的系統級創新。

瑤芯微電子聯合創始人、CTO陳開宇進行產品介紹

    從國產替代到原始創新，中國企業參與下一代技術競爭

    長期以來，碳化硅功率器件技術路線和產品規格主要由海外企業引領，國內產業更多聚焦成熟器件結構的國產替代。而此次碳化硅超結MOSFET實現產業化，意味着中國科研與產業團隊開始具備參與下一代功率器件技術路線競爭的能力。

    目前，瑤芯微電子正圍繞新能源汽車全場景、數據中心800V供電架構等領域構建功率器件解決方案，並已布局8英寸碳化硅MOSFET量產能力。（記者 黃鳳鳴）

頂圖：瑤芯微電子工程師在實驗室裏監測數據