據中核集團消息,近日,由中核集團中國原子能科學研究院自主研製的我國首台串列型高能氫離子注入機(POWER-750H)成功出束,核心指標達到國際先進水平。
這標誌着我國已全面掌握串列型高能氫離子注入機的全鏈路研發技術,攻克了功率半導體製造鏈關鍵環節,為推動高端製造裝備自主可控、保障產業鏈安全奠定堅實基礎。離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備並稱為芯片製造「四大核心裝備」,是半導體製造不可或缺的「剛需」設備。
分析指,此次突破堪具里程碑意義,因為離子注入機技術難度極高。此次突破,將有力提升我國在功率半導體等關鍵領域的自主保障能力。