9月20日，在2026世界製造業大會現場，長鑫存儲正式宣布第五代DRAM技術平台（G5平台）實現量產，並展出基於該平台研發的大容量LPDDR5X新品，標誌國產高端存儲技術取得里程碑式跨越，為全球供應鏈增添新選擇。

　據介紹，G5平台多項核心工藝取得重大創新。依託四重曝光技術，內存陣列有源區半間距微縮至11.95納米，達到全球頂尖量產工藝水準。平台採用新材料方案，存儲電容深寬比達45:1，並引入適配DRAM的高介電常數金屬柵HKMG工藝，將核心功能區縮小至6762納米。研發端搭建數字孿生系統，貫穿晶片設計、製造、運維全流程，加速工藝迭代，同時在鞍形鰭式結構、低k間隔層位線等關鍵技術上實現突破。

　工藝突破直接帶動存儲密度躍升。G5平台單晶圓裸片產出數量，較第四代提升至少50%，在能效與成本控制上優勢明顯。本次展出兩款G5平台LPDDR5X量產晶片，單顆容量24Gb，較上代提升50%，提供496Ball、245Ball兩種封裝，適配中高端手機、便攜消費電子，現已進入規模量產。

　長鑫存儲表示，將持續迭代存儲技術，推出更高性能、高可靠性存儲產品，夯實數字產業底層硬件支撐，助力全球存儲供應鏈多元化，增強產業鏈韌性。（記者 秦炳煜 柏永 吳敏）